Твърд диск SAMSUNG 990 EVO SSD 2TB M.2 NVMe PCIe MZ-V9E2T0BW
Производителност
Ъпгрейд до бърза скорост на последователно четене до 5 000 MB/s, което е с 43% по-бързо от предишния модел.
Енергийна ефективност
С до 70% по-висока енергийна ефективност в сравнение с предишния модел, поддържаща модерен режим на готовност и дълъг живот на батерията.
Гъвкавост
Повишете ежедневната производителност в игрите, бизнеса и творческата работа със съвместимост с PCIe 4.0 x4 и PCIe 5.0 x2.
Изпреварваща скорост
990 EVO предлага повишена скорост на последователно четене/запис до 5000/4200 MB/s и скорост на произволно четене/запис до 700 хил./800 хил. IOPS, като достига до 43% по-висока скорост в сравнение с 970 EVO Plus 2TB. Намалете чакането при игрите и получете бърз достъп до големи файлове.
Интелигентно топлинно решение
Топлоразпределителният стикер на 990 EVO спомага за термичния контрол на NAND чипа. Авангардният алгоритъм за топлинен контрол на Samsung, съчетан с функцията Dynamic Thermal Guard, осигурява едновременно постоянна и надеждна производителност. Дръжте производителността си нагорещена до червено, а не устройството си.
Общи характеристики:
- Приложение: Клиентски компютри
- Капацитет: 2,000 GB
- Формат: M.2 (2280)
- Интерфейс: PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Размери (ШxВxД): 80 x 22 x 2.38 мм
- Тегло: Максимум 9.0 г
- Памет: Samsung V-NAND TLC
- Контролер: Собствен контролер на Samsung
- Кеш памет: HMB (Host Memory Buffer)
Специални функции:
- TRIM поддръжка: Да
- S.M.A.R.T поддръжка: Да
- Garbage Collection (GC): Автоматичен алгоритъм за почистване
- Поддръжка на криптиране:
- AES 256-bit Encryption (Class 0)
- TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- WWN поддръжка: Не
- Поддръжка на режим Device Sleep: Да
Производителност:
- Последователно четене: До 5,000 MB/s
- Последователно записване: До 4,200 MB/s
- Случайно четене (4KB, QD32): До 700,000 IOPS
- Случайно записване (4KB, QD32): До 800,000 IOPS
- Случайно четене (4KB, QD1): До 20,000 IOPS
- Случайно записване (4KB, QD1): До 90,000 IOPS
- Общ обем на запис (TBW): 1200 TBW
Околна среда:
- Средна консумация на енергия (системно ниво):
- Четене: 4.9 W
- Записване: 4.5 W
- Консумация на енергия в режим на изчакване: Типична 60 mW
- Консумация на енергия в режим Device Sleep: Типична 5 mW
- Допустимо напрежение: 3.3 V ± 5%
- Надеждност (MTBF): 1.5 милиона часа
- Работна температура: 0 – 70 ℃
- Устойчивост на удар: 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
